半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480070883.1

申请日：

2014-09-19

公开(公告)号：

CN105849918A

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

月原政志中村薰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3324

IPC分类号：

H01L21205 H01L3332

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677911444 IPC(主分类):H01L 33/24 专利申请号:2014800708831 申请日:20140919
2016-08-10	公开	公开
2018-10-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/24 申请公布日:20160810

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101479861B ,2009-07-08

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

武田四郎 ;

室伏仁 .

中国专利 :CN100420046C ,2005-05-25

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

加藤隆志 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1770489A ,2006-05-10

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田岛未来雄 ;

佐藤雅裕 ;

青柳秀和 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1661826A ,2005-08-31

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

佐藤纯治 ;

杢哲次 ;

田中良孝 ;

田岛未来雄 .

中国专利 :CN100375301C ,2005-11-02

[7]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[8]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

[9]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN114744093A ,2022-07-12

← 1 2 3 4 5 →