半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510108523.9

申请日：

2005-09-29

公开(公告)号：

CN1770489A

公开(公告)日：

2006-05-10

发明(设计)人：

青柳秀和加藤隆志松尾哲二

申请人：

申请人地址：

日本新座市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;叶恺东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-10	公开	公开
2008-12-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101479861B ,2009-07-08

[2]

半导体发光元件及其制造方法、灯 [P].

篠原裕直 ;

福永修大 .

中国专利 :CN102037576A ,2011-04-27

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

月原政志 ;

中村薰 .

中国专利 :CN105849918A ,2016-08-10

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

武田四郎 ;

室伏仁 .

中国专利 :CN100420046C ,2005-05-25

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田岛未来雄 ;

佐藤雅裕 ;

青柳秀和 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1661826A ,2005-08-31

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

佐藤纯治 ;

杢哲次 ;

田中良孝 ;

田岛未来雄 .

中国专利 :CN100375301C ,2005-11-02

[8]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[9]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、发光组件及发光组件的制造方法 [P].

井上振一郎 .

日本专利 :CN120266604A ,2025-07-04

[10]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

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