半导体发光元件及其制造方法、灯

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980118007.0

申请日：

2009-05-20

公开(公告)号：

CN102037576A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

篠原裕直福永修大

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2128 H01L2947 H01L29872

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079139899 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801180070 申请日:20090520
2011-04-27	公开	公开
2013-06-05	授权	授权
2013-03-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101546593550 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801180070 变更事项:申请人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130226

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101479861B ,2009-07-08

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

加藤隆志 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1770489A ,2006-05-10

[3]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法以及灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101421856A ,2009-04-29

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

月原政志 ;

中村薰 .

中国专利 :CN105849918A ,2016-08-10

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

武田四郎 ;

室伏仁 .

中国专利 :CN100420046C ,2005-05-25

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田岛未来雄 ;

佐藤雅裕 ;

青柳秀和 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1661826A ,2005-08-31

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

佐藤纯治 ;

杢哲次 ;

田中良孝 ;

田岛未来雄 .

中国专利 :CN100375301C ,2005-11-02

[9]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[10]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、发光组件及发光组件的制造方法 [P].

井上振一郎 .

日本专利 :CN120266604A ,2025-07-04

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