半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法以及灯

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780012867.7

申请日：

2007-04-13

公开(公告)号：

CN101421856A

公开(公告)日：

2009-04-29

发明(设计)人：

福永修大大泽弘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-29	公开	公开
2009-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713564502 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2007800128677 申请公布日:20090429
2013-03-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101546593278 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2007800128677 变更事项:申请人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130226

共 50 条

[1]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

曾根直树 .

日本专利 :CN120753025A ,2025-10-03

[2]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[3]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

北村政治 ;

宫本晋太郎 .

中国专利 :CN115483610A ,2022-12-16

[4]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN110383507B ,2019-10-25

[5]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN105453278A ,2016-03-30

[6]

半导体发光元件、该半导体发光元件的制造方法以及使用该半导体发光元件的灯 [P].

中山德行 ;

阿部能之 .

中国专利 :CN101960625B ,2011-01-26

[7]

半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN105706255A ,2016-06-22

[8]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[9]

半导体发光元件、以及半导体发光元件的制造方法 [P].

山田笃志 ;

久纳康光 ;

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

油本隆司 .

日本专利 :CN119096437A ,2024-12-06

[10]

半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件 [P].

武田孔明 ;

山田哲史 .

中国专利 :CN105103312B ,2015-11-25

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