半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480043454.5

申请日：

2014-07-30

公开(公告)号：

CN105453278A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

门胁嘉孝

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-12	授权	授权
2016-03-30	公开	公开
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101664543293 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2014800434545 申请日:20140730

共 50 条

[1]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[2]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

北村政治 ;

宫本晋太郎 .

中国专利 :CN115483610A ,2022-12-16

[3]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

曾根直树 .

日本专利 :CN120753025A ,2025-10-03

[4]

半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN105706255A ,2016-06-22

[5]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法以及灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101421856A ,2009-04-29

[6]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN110383507B ,2019-10-25

[7]

半导体发光元件、以及半导体发光元件的制造方法 [P].

山田笃志 ;

久纳康光 ;

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

油本隆司 .

日本专利 :CN119096437A ,2024-12-06

[8]

半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件 [P].

武田孔明 ;

山田哲史 .

中国专利 :CN105103312B ,2015-11-25

[9]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

石本圣治 ;

神野大树 .

日本专利 :CN117355950A ,2024-01-05

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

金冈宏明 ;

野村明宏 .

日本专利 :CN117616591A ,2024-02-27

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