半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280047824.7

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN117616591A

公开(公告)日：

2024-02-27

发明(设计)人：

金冈宏明野村明宏

申请人：

株式会社小糸制作所

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L33/08

IPC分类号：

H01L33/32 H01L33/24 H01L33/22 H01L33/10 H01L33/06

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

丁紫玉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	公开	公开
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/08申请日:20220630

共 50 条

[1]

半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件 [P].

武田孔明 ;

山田哲史 .

中国专利 :CN105103312B ,2015-11-25

[2]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

石本圣治 ;

神野大树 .

日本专利 :CN117355950A ,2024-01-05

[3]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

王宏琳 ;

横山英祐 .

中国专利 :CN103779468B ,2014-05-07

[4]

半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法 [P].

山田真嗣 ;

胜野弘 ;

三木聡 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104051582A ,2014-09-17

[5]

半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 [P].

胜野弘 ;

泽野正和 ;

加贺广持 ;

小池豪 ;

宫部主之 .

中国专利 :CN105810781A ,2016-07-27

[6]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[7]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

北村政治 ;

宫本晋太郎 .

中国专利 :CN115483610A ,2022-12-16

[8]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

曾根直树 .

日本专利 :CN120753025A ,2025-10-03

[9]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN105453278A ,2016-03-30

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

深掘真也 .

中国专利 :CN110383508A ,2019-10-25

← 1 2 3 4 5 →