半导体发光元件、以及半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380035842.8

申请日：

2023-04-26

公开(公告)号：

CN119096437A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

山田笃志久纳康光永井洋希中谷东吾油本隆司

申请人：

新唐科技日本株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01S5/22

IPC分类号：

H01S5/343

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

安香子

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/22申请日:20230426
2024-12-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[2]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

北村政治 ;

宫本晋太郎 .

中国专利 :CN115483610A ,2022-12-16

[3]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN110383507B ,2019-10-25

[4]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

曾根直树 .

日本专利 :CN120753025A ,2025-10-03

[5]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN105453278A ,2016-03-30

[6]

半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 [P].

冈贵郁 ;

阿部真司 ;

川崎和重 ;

堀江淳一 ;

佐久间仁 .

中国专利 :CN101877456A ,2010-11-03

[7]

半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN105706255A ,2016-06-22

[8]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[9]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法以及灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101421856A ,2009-04-29

[10]

半导体发光元件制造方法与半导体发光元件 [P].

洪瑞华 ;

卢怡安 .

中国专利 :CN102412349A ,2012-04-11

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