半导体发光元件制造方法与半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110167115.6

申请日：

2011-06-21

公开(公告)号：

CN102412349A

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

洪瑞华卢怡安

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北市基隆路二段51号8楼之9

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3302 H01L3310 H01L3336

代理机构：

上海波拓知识产权代理有限公司 31264

代理人：

杨波

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101707764638 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101671156 申请公布日:20120411
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250909822 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101671156 申请日:20110621
2012-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[2]

半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件 [P].

武田孔明 ;

山田哲史 .

中国专利 :CN105103312B ,2015-11-25

[3]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[4]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

北村政治 ;

宫本晋太郎 .

中国专利 :CN115483610A ,2022-12-16

[5]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井光彦 .

中国专利 :CN101322255A ,2008-12-10

[6]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

深掘真也 .

中国专利 :CN110383508A ,2019-10-25

[7]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

高山彻 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

中谷东吾 ;

高须贺祥一 .

日本专利 :CN114747102B ,2025-11-21

[8]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

高山彻 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

中谷东吾 ;

高须贺祥一 .

中国专利 :CN114747102A ,2022-07-12

[9]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN110383507B ,2019-10-25

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

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