半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080079763.3

申请日：

2020-11-26

公开(公告)号：

CN114747102B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

高山彻油本隆司横山毅中谷东吾高须贺祥一

申请人：

新唐科技日本株式会社

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01S5/343

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

吕文卓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件 [P].

武田孔明 ;

山田哲史 .

中国专利 :CN105103312B ,2015-11-25

[2]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

深掘真也 .

中国专利 :CN110383508A ,2019-10-25

[3]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

高山彻 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

中谷东吾 ;

高须贺祥一 .

中国专利 :CN114747102A ,2022-07-12

[4]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

[5]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

石本圣治 ;

神野大树 .

日本专利 :CN117355950A ,2024-01-05

[6]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 ;

须崎泰正 ;

绳田晃史 ;

田中觉 .

中国专利 :CN109863610B ,2019-06-07

[7]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井遥人 ;

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN111316453A ,2020-06-19

[8]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

金冈宏明 ;

野村明宏 .

日本专利 :CN117616591A ,2024-02-27

[9]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

田岛未来雄 ;

多田善纪 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN101355128A ,2009-01-28

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