半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810128040.9

申请日：

2008-07-10

公开(公告)号：

CN101355128A

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

田岛未来雄多田善纪松尾哲二

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

钟晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-09-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101623048029 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2008101280409 申请日:20080710 授权公告日:20100602 终止日期:20140710
2009-01-28	公开	公开
2010-06-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井光彦 .

中国专利 :CN101322255A ,2008-12-10

[2]

半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件 [P].

武田孔明 ;

山田哲史 .

中国专利 :CN105103312B ,2015-11-25

[3]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

深掘真也 .

中国专利 :CN110383508A ,2019-10-25

[4]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

高山彻 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

中谷东吾 ;

高须贺祥一 .

日本专利 :CN114747102B ,2025-11-21

[5]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

高山彻 ;

油本隆司 ;

横山毅 ;

中谷东吾 ;

高须贺祥一 .

中国专利 :CN114747102A ,2022-07-12

[6]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

[7]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

石本圣治 ;

神野大树 .

日本专利 :CN117355950A ,2024-01-05

[8]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 ;

须崎泰正 ;

绳田晃史 ;

田中觉 .

中国专利 :CN109863610B ,2019-06-07

[9]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井遥人 ;

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN111316453A ,2020-06-19

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

金冈宏明 ;

野村明宏 .

日本专利 :CN117616591A ,2024-02-27

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