半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510052909.2

申请日：

2005-02-25

公开(公告)号：

CN1661826A

公开(公告)日：

2005-08-31

发明(设计)人：

田岛未来雄佐藤雅裕青柳秀和松尾哲二

申请人：

申请人地址：

日本新座市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;叶恺东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-31	公开	公开
2019-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20050225 授权公告日:20081112 终止日期:20180225
2008-11-12	授权	授权
2005-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

武田四郎 ;

室伏仁 .

中国专利 :CN100420046C ,2005-05-25

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101479861B ,2009-07-08

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

月原政志 ;

中村薰 .

中国专利 :CN105849918A ,2016-08-10

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

加藤隆志 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1770489A ,2006-05-10

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

大塚康二 ;

佐藤纯治 ;

杢哲次 ;

田中良孝 ;

田岛未来雄 .

中国专利 :CN100375301C ,2005-11-02

[7]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[8]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

[9]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN114744093A ,2022-07-12

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