半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480040079.5

申请日：

2004-12-27

公开(公告)号：

CN1902793A

公开(公告)日：

2007-01-24

发明(设计)人：

田中章雅

申请人：

申请人地址：

日本静冈县

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

H01S542 H01L3300

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599311335 IPC(主分类):H01S 5/183 专利号:ZL2004800400795 申请日:20041227 授权公告日:20090211 终止日期:20131227
2007-01-24	公开	公开
2007-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田中章雅 .

中国专利 :CN1943086A ,2007-04-04

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长谷川义晃 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 .

中国专利 :CN1736009A ,2006-02-15

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

多田善纪 ;

杢哲次 ;

丹羽爱玲 ;

神井康宏 ;

佐藤纯治 ;

加藤隆志 .

中国专利 :CN100428509C ,2006-04-26

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN1538537A ,2004-10-20

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边温 ;

伊藤敦也 ;

高桥宏和 ;

木村义则 ;

宫地护 .

中国专利 :CN1714487A ,2005-12-28

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN111492494A ,2020-08-04

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

[8]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[9]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN113272974B ,2025-08-05

[10]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN113272974A ,2021-08-17

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