场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580018798.1

申请日：

2005-06-09

公开(公告)号：

CN100501951C

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

平田宏治小嵜正芳千田昌伸柴田直树

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L29778 H01L29812

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672731528 IPC(主分类):H01L 21/338 专利号:ZL2005800187981 申请日:20050609 授权公告日:20090617 终止日期:20150609
2009-06-17	授权	授权
2007-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法 [P].

平田宏治 ;

小嵜正芳 ;

千田昌伸 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN101552193A ,2009-10-07

[2]

场效应晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104638002A ,2015-05-20

[3]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[4]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

巽孝明 .

中国专利 :CN108352325B ,2018-07-31

[5]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[6]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04

[7]

半导体场效应晶体管 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411208U ,2021-10-15

[8]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

[9]

有机半导体材料和场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法 [P].

贞光雄一 .

中国专利 :CN102770979B ,2012-11-07

[10]

形成场效应晶体管和半导体器件的方法 [P].

骆志炯 ;

金成东 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN101916774A ,2010-12-15

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