场效应晶体管半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02822619.4

申请日：

2002-11-13

公开(公告)号：

CN1586009A

公开(公告)日：

2005-02-23

发明(设计)人：

R·J·E·胡廷 J·W·斯洛布姆 P·H·C·马格尼

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2908

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;王勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-23	公开	公开
2009-08-05	授权	授权
2014-12-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101594120115 IPC(主分类):H01L 29/06 专利号:ZL028226194 申请日:20021113 授权公告日:20090805 终止日期:20131113
2005-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-12	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20071109

共 50 条

[1]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

巽孝明 .

中国专利 :CN108352325B ,2018-07-31

[2]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

[3]

半导体场效应晶体管 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411208U ,2021-10-15

[4]

场效应晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104638002A ,2015-05-20

[5]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[6]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04

[7]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[8]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[9]

场效应晶体管及半导体器件 [P].

黄厚金 .

中国专利 :CN101494240A ,2009-07-29

[10]

包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件 [P].

K-H·埃克隆德 ;

L·韦斯特林 .

中国专利 :CN114868254A ,2022-08-05

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