场效应晶体管和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680064185.X

申请日：

2016-09-02

公开(公告)号：

CN108352325B

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

巽孝明

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县厚木市朝日町4-14-1

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴孟秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160902
2021-08-24	授权	授权
2018-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[2]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

[3]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[4]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04

[5]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[6]

半导体场效应晶体管 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411208U ,2021-10-15

[7]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

[8]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[9]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16

[10]

场效应晶体管及半导体器件 [P].

黄厚金 .

中国专利 :CN101494240A ,2009-07-29

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