半导体场效应晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120432682.9

申请日：

2021-02-26

公开(公告)号：

CN214411208U

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

李振道孙明光

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体场效应晶体管结构 [P].

陈素鹏 ;

苏健泉 ;

曾繁川 .

中国专利 :CN206076225U ,2017-04-05

[2]

金属半导体场效应晶体管 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101740618B ,2010-06-16

[3]

半导体场效应晶体管的制备方法 [P].

周华杰 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN102842507A ,2012-12-26

[4]

金属氧化层半导体场效应晶体管 [P].

孙贵鹏 ;

张森 ;

吴孝嘉 .

中国专利 :CN103296082A ,2013-09-11

[5]

导体绝缘体半导体场效应晶体管 [P].

A·M·欧若拉 .

中国专利 :CN112151617A ,2020-12-29

[6]

高分子半导体场效应晶体管 [P].

M·T·比尔纽斯 ;

E·P·伍 .

中国专利 :CN1167146C ,2002-01-30

[7]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[8]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[9]

一种易散热半导体场效应晶体管 [P].

杨宝林 .

中国专利 :CN213401166U ,2021-06-08

[10]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

← 1 2 3 4 5 →