包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件

被引：0

申请号：

CN202080073907.4

申请日：

2020-08-27

公开(公告)号：

CN114868254A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

K-H·埃克隆德 L·韦斯特林

申请人：

申请人地址：

瑞典，乌普萨拉

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L27085 H01L2910 H01L29417 H01L2947 H01L29739 H01L29808 H01L2978

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	公开	公开
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200827

共 50 条

[1]

包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件 [P].

K-H·埃克隆德 ;

L·韦斯特林 .

:CN114868254B ,2025-08-19

[2]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[3]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[4]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

曼弗雷德·豪夫 ;

马克思·Ｇ·莱维 ;

维克托·Ｒ·纳斯塔西 .

中国专利 :CN1090821C ,1998-03-04

[5]

绝缘栅场效应晶体管 [P].

原田真 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN102171832A ,2011-08-31

[6]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[7]

新型绝缘栅场效应晶体管 [P].

王弘 ;

王民 ;

王卓 ;

尚淑霞 .

中国专利 :CN2264416Y ,1997-10-08

[8]

场效应晶体管 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN209071275U ,2019-07-05

[9]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

金东宇 ;

李承勋 ;

金善政 ;

李炫姃 ;

具本荣 .

中国专利 :CN106057891B ,2016-10-26

[10]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

李明宣 .

韩国专利 :CN120690781A ,2025-09-23

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