包括场效应晶体管的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610197247.6

申请日：

2016-03-31

公开(公告)号：

CN106057891B

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

金东宇李承勋金善政李炫姃具本荣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2910

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘灿强;尹淑梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	授权	授权
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160331
2016-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[2]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

金珍永 ;

益冈有里 .

中国专利 :CN110739352A ,2020-01-31

[3]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN106992173A ,2017-07-28

[4]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[5]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

李明宣 .

韩国专利 :CN120690781A ,2025-09-23

[6]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[7]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[8]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04

[9]

具有场效应晶体管的半导体器件 [P].

金钟银 ;

金东铉 ;

宋炫升 .

中国专利 :CN104347690A ,2015-02-11

[10]

包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件 [P].

K-H·埃克隆德 ;

L·韦斯特林 .

中国专利 :CN114868254A ,2022-08-05

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