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包括场效应晶体管的半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411750235.2
申请日：
2024-12-02
公开(公告)号：
CN120690781A
公开(公告)日：
2025-09-23
发明(设计)人：
李明宣
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L23/528
IPC分类号：
H10D84/85
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
刘雯鑫;赵莎
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-23 | 公开 | 公开 |