包括场效应晶体管的半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN201910649082.5
申请日
2019-07-18
公开(公告)号
CN110739352A
公开(公告)日
2020-01-31
发明(设计)人
金珍永 益冈有里
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
弋桂芬
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
包括场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
金东宇 ;
李承勋 ;
金善政 ;
李炫姃 ;
具本荣 .
中国专利 :CN106057891B ,2016-10-26
[2]
场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
洪兑允 ;
尹壮根 ;
金显浩 ;
韩智勋 .
韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30
[3]
包括场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
李宰圭 .
中国专利 :CN106992173A ,2017-07-28
[4]
场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
前田茂伸 ;
徐承汉 ;
成汝铉 .
中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04
[5]
包括场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
李明宣 .
韩国专利 :CN120690781A ,2025-09-23
[6]
场效应晶体管半导体器件 [P]. 
R·J·E·胡廷 ;
J·W·斯洛布姆 ;
P·H·C·马格尼 .
中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23
[7]
场效应晶体管和半导体器件 [P]. 
秋山千帆子 .
日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13
[8]
场效应晶体管和半导体器件 [P]. 
秋山千帆子 .
中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04
[9]
具有场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
金钟银 ;
金东铉 ;
宋炫升 .
中国专利 :CN104347690A ,2015-02-11
[10]
包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件 [P]. 
K-H·埃克隆德 ;
L·韦斯特林 .
中国专利 :CN114868254A ,2022-08-05