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包括场效应晶体管的半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910649082.5
申请日
:
2019-07-18
公开(公告)号
:
CN110739352A
公开(公告)日
:
2020-01-31
发明(设计)人
:
金珍永
益冈有里
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2906
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
弋桂芬
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-01-31
公开
公开
2021-08-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190718
共 50 条
[1]
包括场效应晶体管的半导体器件
[P].
金东宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金东宇
;
李承勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李承勋
;
金善政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金善政
;
李炫姃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李炫姃
;
具本荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
具本荣
.
中国专利
:CN106057891B
,2016-10-26
[2]
场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件
[P].
洪兑允
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
洪兑允
;
尹壮根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹壮根
;
金显浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金显浩
;
韩智勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
韩智勋
.
韩国专利
:CN118412371A
,2024-07-30
[3]
包括场效应晶体管的半导体器件
[P].
李宰圭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李宰圭
.
中国专利
:CN106992173A
,2017-07-28
[4]
场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件
[P].
前田茂伸
论文数:
0
引用数:
0
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0
前田茂伸
;
徐承汉
论文数:
0
引用数:
0
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0
徐承汉
;
成汝铉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
成汝铉
.
中国专利
:CN107017285B
,2017-08-04
[5]
包括场效应晶体管的半导体器件
[P].
李明宣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李明宣
.
韩国专利
:CN120690781A
,2025-09-23
[6]
场效应晶体管半导体器件
[P].
R·J·E·胡廷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R·J·E·胡廷
;
J·W·斯洛布姆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·W·斯洛布姆
;
P·H·C·马格尼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
P·H·C·马格尼
.
中国专利
:CN1586009A
,2005-02-23
[7]
场效应晶体管和半导体器件
[P].
秋山千帆子
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
住友电工光电子器件创新株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
秋山千帆子
.
日本专利
:CN111627997B
,2024-08-13
[8]
场效应晶体管和半导体器件
[P].
秋山千帆子
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
秋山千帆子
.
中国专利
:CN111627997A
,2020-09-04
[9]
具有场效应晶体管的半导体器件
[P].
金钟银
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金钟银
;
金东铉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金东铉
;
宋炫升
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋炫升
.
中国专利
:CN104347690A
,2015-02-11
[10]
包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件
[P].
K-H·埃克隆德
论文数:
0
引用数:
0
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0
K-H·埃克隆德
;
L·韦斯特林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·韦斯特林
.
中国专利
:CN114868254A
,2022-08-05
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