场效应晶体管、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310562469.X

申请日：

2013-11-12

公开(公告)号：

CN104638002A

公开(公告)日：

2015-05-20

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27092 H01L21336 H01L218238

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙宝海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101613556365 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201310562469X 申请日:20131112
2015-05-20	公开	公开
2017-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[2]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

巽孝明 .

中国专利 :CN108352325B ,2018-07-31

[3]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

[4]

场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法 [P].

平田宏治 ;

小嵜正芳 ;

千田昌伸 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN101552193A ,2009-10-07

[5]

场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法 [P].

平田宏治 ;

小嵜正芳 ;

千田昌伸 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN100501951C ,2007-05-16

[6]

半导体场效应晶体管 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411208U ,2021-10-15

[7]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[8]

有机半导体材料和场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法 [P].

贞光雄一 .

中国专利 :CN102770979B ,2012-11-07

[9]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

[10]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04

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