场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580018798.1

申请日：

2005-06-09

公开(公告)号：

CN100501951C

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

平田宏治小嵜正芳千田昌伸柴田直树

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L29778 H01L29812

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672731528 IPC(主分类):H01L 21/338 专利号:ZL2005800187981 申请日:20050609 授权公告日:20090617 终止日期:20150609
2009-06-17	授权	授权
2007-05-16	公开	公开

共 50 条

[41]

制造半导体器件的鳍式场效应晶体管的方法 [P].

朴正浩 .

中国专利 :CN1992185A ,2007-07-04

[42]

半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法 [P].

冈久拓司 ;

川濑智博 ;

上村智喜 ;

西冈志行 ;

荒川聪 .

中国专利 :CN101440520A ,2009-05-27

[43]

半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法 [P].

冈久拓司 ;

川濑智博 ;

上村智喜 ;

西冈志行 ;

荒川聪 .

中国专利 :CN101440521A ,2009-05-27

[44]

包括场效应晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

祭命均 ;

李敬雨 ;

河承锡 ;

金荣佑 ;

金俊秀 ;

李敏丞 ;

催信圭 .

韩国专利 :CN120201777A ,2025-06-24

[45]

半导体结构、形成方法以及场效应晶体管 [P].

武娴 ;

郭磊 ;

王敬 .

中国专利 :CN105513963A ,2016-04-20

[46]

垂直场效应晶体管和包括其的半导体器件 [P].

刘庭均 ;

金昶熹 ;

朴星一 ;

李东勋 .

中国专利 :CN109494253A ,2019-03-19

[47]

场效应晶体管、半导体芯片及半导体装置 [P].

浅井周二 ;

富士原明 ;

松野下诚 ;

佐仓直喜 ;

市川清治 .

中国专利 :CN101399285B ,2009-04-01

[48]

半导体装置及场效应晶体管 [P].

袁锋 ;

陈宏铭 ;

李宗霖 ;

张长昀 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN102034868B ,2011-04-27

[49]

场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN105308736B ,2016-02-03

[50]

场效应晶体管以及半导体装置 [P].

松田顺一 .

中国专利 :CN104685614A ,2015-06-03

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