垂直场效应晶体管和包括其的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811054979.5

申请日：

2018-09-11

公开(公告)号：

CN109494253A

公开(公告)日：

2019-03-19

发明(设计)人：

刘庭均金昶熹朴星一李东勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	公开	公开
2020-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180911
2021-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[2]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

[3]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[4]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

金东宇 ;

李承勋 ;

金善政 ;

李炫姃 ;

具本荣 .

中国专利 :CN106057891B ,2016-10-26

[5]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

李明宣 .

韩国专利 :CN120690781A ,2025-09-23

[6]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

金珍永 ;

益冈有里 .

中国专利 :CN110739352A ,2020-01-31

[7]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN106992173A ,2017-07-28

[8]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[9]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

巽孝明 .

中国专利 :CN108352325B ,2018-07-31

[10]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

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