场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580018798.1

申请日：

2005-06-09

公开(公告)号：

CN100501951C

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

平田宏治小嵜正芳千田昌伸柴田直树

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L29778 H01L29812

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672731528 IPC(主分类):H01L 21/338 专利号:ZL2005800187981 申请日:20050609 授权公告日:20090617 终止日期:20150609
2009-06-17	授权	授权
2007-05-16	公开	公开

共 50 条

[21]

场效应晶体管及其制造方法和半导体装置 [P].

尾藤康则 .

中国专利 :CN101621079A ,2010-01-06

[22]

场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法 [P].

李钟振 ;

洪元赫 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN117790504A ,2024-03-29

[23]

薄膜半导体装置和场效应晶体管 [P].

大江贵裕 ;

君岛美树 .

中国专利 :CN101904011B ,2010-12-01

[24]

集成半导体器件、晶体管和制造突起场效应晶体管的方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 .

中国专利 :CN113380800B ,2024-12-24

[25]

集成半导体器件、晶体管和制造突起场效应晶体管的方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 .

中国专利 :CN113380800A ,2021-09-10

[26]

化合物半导体场效应晶体管 [P].

一条尚生 .

中国专利 :CN106796890A ,2017-05-31

[27]

形成场效应晶体管的方法以及半导体器件 [P].

谢斌平 ;

吕文来 ;

王艳会 ;

全志清 .

中国专利 :CN120390416A ,2025-07-29

[28]

半导体器件以及形成场效应晶体管的方法 [P].

杨育佳 ;

卡洛斯·H·迪亚兹 ;

王志豪 ;

叶凌彦 ;

孙元成 .

中国专利 :CN106935649A ,2017-07-07

[29]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[30]

包括场效应晶体管的半导体器件 [P].

金东宇 ;

李承勋 ;

金善政 ;

李炫姃 ;

具本荣 .

中国专利 :CN106057891B ,2016-10-26

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