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场效应晶体管及其制造方法和半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200910139530.3
申请日：
2009-07-02
公开(公告)号：
CN101621079A
公开(公告)日：
2010-01-06
发明(设计)人：
尾藤康则
申请人：
申请人地址：
日本神奈川
IPC主分类号：
H01L2980
IPC分类号：
H01L2906
H01L2951
H01L27098
H01L21337
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：
孙志湧;穆德骏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-01-06 | 公开 | 公开 |
| 2011-03-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056290649 IPC(主分类):H01L 29/80 专利申请号:2009101395303 申请日:20090702 |
| 2019-06-28 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/80 申请日:20090702 授权公告日:20121128 终止日期:20180702 |
| 2012-11-28 | 授权 | 授权 |
| 2017-12-29 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/80 变更事项:专利权人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川 变更后:日本东京 |