集成半导体器件、晶体管和制造突起场效应晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110591884.2

申请日：

2021-05-28

公开(公告)号：

CN113380800A

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

马可·范·达尔荷尔本·朵尔伯斯乔治奥斯·韦理安尼堤斯

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L2722 H01L2724

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	公开	公开
2021-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20210528

共 50 条

[1]

集成半导体器件、晶体管和制造突起场效应晶体管的方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 .

中国专利 :CN113380800B ,2024-12-24

[2]

场效应晶体管和包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

洪兑允 ;

尹壮根 ;

金显浩 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118412371A ,2024-07-30

[3]

场效应晶体管半导体器件 [P].

R·J·E·胡廷 ;

J·W·斯洛布姆 ;

P·H·C·马格尼 .

中国专利 :CN1586009A ,2005-02-23

[4]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

日本专利 :CN111627997B ,2024-08-13

[5]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

巽孝明 .

中国专利 :CN108352325B ,2018-07-31

[6]

场效应晶体管和半导体器件 [P].

秋山千帆子 .

中国专利 :CN111627997A ,2020-09-04

[7]

半导体器件、结型场效应晶体管和垂直场效应晶体管 [P].

R.埃斯特夫 ;

J.康拉特 ;

D.屈克 ;

D.拉福雷 ;

C.乌夫拉尔德 ;

R.鲁普 ;

A.弗克尔 ;

W.维尔纳 .

中国专利 :CN104425569B ,2015-03-18

[8]

场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件 [P].

前田茂伸 ;

徐承汉 ;

成汝铉 .

中国专利 :CN107017285B ,2017-08-04

[9]

场效应晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104638002A ,2015-05-20

[10]

半导体场效应晶体管 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411208U ,2021-10-15

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