场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580000970.4

申请日：

2015-03-25

公开(公告)号：

CN105308736B

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

坂直树冈元大作田中秀树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21336 H01L23532 H01L2978 H01L29786

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

陈桂香;曹正建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708000651 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2015800009704 申请日:20150325
2021-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[2]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972278A ,2022-01-25

[3]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN110246898A ,2019-09-17

[4]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972279A ,2022-01-25

[5]

场效应晶体管制造方法及场效应晶体管 [P].

李伟 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN109643655B ,2019-04-16

[6]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[7]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[8]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[9]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27

[10]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

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