场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111079524.0

申请日：

2015-03-25

公开(公告)号：

CN113972279A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

坂直树冈元大作田中秀树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L23482 H01L23522 H01L23528 H01L23532 H01L23535 H01L2906 H01L29417 H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

李晗;曹正建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-25	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150325

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[2]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972278A ,2022-01-25

[3]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN110246898A ,2019-09-17

[4]

场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN105308736B ,2016-02-03

[5]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[6]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27

[7]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[8]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[9]

场效应晶体管 [P].

胁田尚英 ;

田中健一郎 ;

石田昌宏 ;

田村聪之 ;

柴田大辅 .

中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10

[10]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

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