氮化物半导体的结晶生长方法和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080014405.0

申请日：

2010-03-24

公开(公告)号：

CN102369590A

公开(公告)日：

2012-03-07

发明(设计)人：

藤金正树井上彰加藤亮横川俊哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1634 H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	公开	公开
2012-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101227121992 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2010800144050 申请日:20100324
2014-10-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101705946764 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2010800144050 申请公布日:20120307

共 50 条

[1]

氮化物半导体的晶体生长方法和半导体装置的制造方法 [P].

井上彰 ;

加藤亮 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102067286A ,2011-05-18

[2]

氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法 [P].

中原健 ;

田村谦太郎 .

中国专利 :CN101111945B ,2008-01-23

[3]

氮化物半导体的生长方法 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1159750C ,1999-07-14

[4]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[5]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[6]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[7]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[8]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

[9]

氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN110731002A ,2020-01-24

[10]

氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

藤仓序章 .

日本专利 :CN110731002B ,2024-02-02

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