氮化物半导体生长用衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480001328.X

申请日：

2004-08-11

公开(公告)号：

CN100389481C

公开(公告)日：

2005-12-07

发明(设计)人：

熊仓一英广木正伸牧本俊树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-07	公开	公开
2008-05-21	授权	授权
2006-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[2]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[3]

氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1933195A ,2007-03-21

[4]

氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置 [P].

三宅秀人 .

中国专利 :CN115064621A ,2022-09-16

[5]

氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN102154704A ,2011-08-17

[6]

氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 [P].

藤仓序章 ;

松田三智子 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103050597A ,2013-04-17

[7]

氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101060102A ,2007-10-24

[8]

生长氮化物半导体的方法及由其形成的氮化物半导体衬底 [P].

朴性秀 ;

李文相 .

中国专利 :CN102191539A ,2011-09-21

[9]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[10]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

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