硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710133407.1

申请日：

2007-09-29

公开(公告)号：

CN100592470C

公开(公告)日：

2008-03-19

发明(设计)人：

李忠辉

申请人：

申请人地址：

210016江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2300 C30B2502 C30B2938 C30B2940

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司

代理人：

周晓梅

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20070929 授权公告日:20100224 终止日期:20210929
2010-02-24	授权	授权
2011-02-16	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101066880102 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2007101334071 专利号:ZL2007101334071 合同备案号:2010320000060 让与人:中国电子科技集团公司第五十五研究所受让人:南京国盛电子有限公司发明名称:硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法申请日:20070929 公开日:20080319 授权公告日:20090610 许可种类:独占许可备案日期:20100220
2008-03-19	公开	公开
2008-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

基于电场调控的单晶氮化物薄膜的外延生长方法及应用 [P].

王亮 ;

徐俞 ;

王钰宁 ;

徐科 .

中国专利 :CN118087038A ,2024-05-28

[2]

基于电场调控的单晶氮化物薄膜的外延生长方法及应用 [P].

王亮 ;

徐俞 ;

王钰宁 ;

徐科 .

中国专利 :CN118087038B ,2024-08-02

[3]

利用原位掩膜进行外延生长氮化物单晶薄膜的方法 [P].

李忠辉 ;

董逊 .

中国专利 :CN1958879A ,2007-05-09

[4]

Ⅲ族氮化物单晶生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101351579B ,2009-01-21

[5]

一种氮化物薄膜外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

张扬 ;

张会肖 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 .

中国专利 :CN101445956A ,2009-06-03

[6]

一种硅基氮化物外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

李炜 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762063A ,2016-07-13

[7]

一种氮化物的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762061A ,2016-07-13

[8]

氮化物生长方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113394076A ,2021-09-14

[9]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935A ,2025-03-25

[10]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935B ,2025-06-10

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