一种氮化物的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610084233.3

申请日：

2016-02-06

公开(公告)号：

CN105762061A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

闫发旺张峰赵倍吉谢杰

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2516 C30B2940

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	授权	授权
2016-07-13	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707984591 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016100842333 申请日:20160206

共 50 条

[1]

一种氮化物半导体材料的外延生长方法 [P].

陈一仁 ;

周星宇 ;

张志伟 ;

宋航 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN112820626A ,2021-05-18

[2]

氮化物生长方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113394076A ,2021-09-14

[3]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[4]

氮化物LED外延结构的生长方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102569567A ,2012-07-11

[5]

一种提高氮化物LED电流扩展能力的外延生长方法 [P].

梁萌 ;

刘志强 ;

伊晓燕 ;

苗振林 ;

周佐华 ;

季辉 ;

王良臣 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN111129240A ,2020-05-08

[6]

一种低位错密度氮化物的外延层生长方法 [P].

程万希 ;

梁辉南 ;

姜仁波 ;

李强 ;

王荣华 ;

高珺 .

中国专利 :CN111312585A ,2020-06-19

[7]

一种硅基氮化物外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

李炜 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762063A ,2016-07-13

[8]

一种氮化物薄膜外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

张扬 ;

张会肖 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 .

中国专利 :CN101445956A ,2009-06-03

[9]

Ⅲ族氮化物单晶生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101351579B ,2009-01-21

[10]

含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 .

中国专利 :CN106783533A ,2017-05-31

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