一种硅基氮化物外延生长的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610084231.4

申请日：

2016-02-06

公开(公告)号：

CN105762063A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

闫发旺张峰李炜谢杰

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	授权	授权
2016-07-13	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707984991 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2016100842314 申请日:20160206

共 50 条

[1]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[2]

一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762065B ,2016-07-13

[3]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[4]

MOCVD生长氮化物外延层的方法 [P].

郝茂盛 ;

潘尧波 ;

颜建锋 ;

周建华 ;

孙永健 ;

杨卫桥 ;

陈志忠 ;

张国义 .

中国专利 :CN101343733B ,2009-01-14

[5]

氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114574960A ,2022-06-03

[6]

一种氮化物的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762061A ,2016-07-13

[7]

氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101814564A ,2010-08-25

[8]

在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法 [P].

王玮竹 .

中国专利 :CN110556454B ,2019-12-10

[9]

一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法 [P].

陈龙 .

中国专利 :CN107346728A ,2017-11-14

[10]

一种氮化物外延装置及方法 [P].

张硕 ;

段瑞飞 ;

曾一平 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN104532208A ,2015-04-22

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