在硅基衬底上生长的氮化物外延结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810554882.4

申请日：

2018-06-01

公开(公告)号：

CN110556454B

公开(公告)日：

2019-12-10

发明(设计)人：

王玮竹

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535

代理人：

刘元霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	公开	公开
2020-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180601
2021-08-03	授权	授权

共 50 条

[1]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[2]

III族氮化物外延结构及其生长方法 [P].

杜彦浩 ;

叶孟欣 ;

徐宸科 ;

赵志伟 ;

林文禹 ;

叶义信 ;

杨仁君 ;

刘建明 .

中国专利 :CN103388178A ,2013-11-13

[3]

硅衬底上生长氮化物外延层的方法及其半导体器件 [P].

马悦 ;

黄占超 ;

奚明 .

中国专利 :CN103872199B ,2014-06-18

[4]

硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构 [P].

于彤军 ;

冯晓辉 ;

贾传宇 ;

张国义 .

中国专利 :CN104637795A ,2015-05-20

[5]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[6]

一种硅基氮化物外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

李炜 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762063A ,2016-07-13

[7]

一种Ⅲ族氮化物外延晶体及其生长方法 [P].

周玉刚 ;

孙陈红 ;

张荣 .

中国专利 :CN104979442A ,2015-10-14

[8]

氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101814564A ,2010-08-25

[9]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[10]

一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法 [P].

陈龙 .

中国专利 :CN107346728A ,2017-11-14

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