一种氮化物半导体材料的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011604368.0

申请日：

2020-12-30

公开(公告)号：

CN112820626A

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

陈一仁周星宇张志伟宋航缪国庆蒋红李志明

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2502 C30B2940

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张雪娇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201230
2021-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体的生长方法 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1159750C ,1999-07-14

[2]

一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法 [P].

杨丹丹 ;

徐永宽 ;

张嵩 ;

程红娟 ;

李晖 .

中国专利 :CN102723260A ,2012-10-10

[3]

一种氮化物的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762061A ,2016-07-13

[4]

氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法 [P].

中原健 ;

田村谦太郎 .

中国专利 :CN101111945B ,2008-01-23

[5]

氮化物半导体外延层的生长方法 [P].

尹义埈 ;

罗炫石 .

中国专利 :CN100447948C ,2006-08-16

[6]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[7]

含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 .

中国专利 :CN106783533A ,2017-05-31

[8]

一种Ⅲ族氮化物半导体材料及其生长方法 [P].

高英 ;

张剑平 ;

周瓴 ;

武帅 .

中国专利 :CN100550302C ,2008-03-12

[9]

一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法 [P].

刘扬 ;

倪毅强 ;

贺致远 ;

周德秋 ;

张佰君 .

中国专利 :CN103633134B ,2014-03-12

[10]

一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法 [P].

刘扬 ;

周德秋 ;

倪毅强 ;

贺致远 .

中国专利 :CN104465749A ,2015-03-25

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