含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611038436.5

申请日：

2016-11-11

公开(公告)号：

CN106783533A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

郝茂盛袁根如张楠

申请人：

申请人地址：

201209 上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729330296 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016110384365 申请日:20161111
2017-05-31	公开	公开
2020-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

含Al氮化物半导体结构及器件 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

马艳红 ;

张楠 ;

陈朋 .

中国专利 :CN214043599U ,2021-08-24

[2]

氮化物半导体的生长方法 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1159750C ,1999-07-14

[3]

氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法 [P].

中原健 ;

田村谦太郎 .

中国专利 :CN101111945B ,2008-01-23

[4]

一种氮化物半导体材料的外延生长方法 [P].

陈一仁 ;

周星宇 ;

张志伟 ;

宋航 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN112820626A ,2021-05-18

[5]

含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

马艳红 ;

张楠 ;

陈朋 .

中国专利 :CN112490116A ,2021-03-12

[6]

氮化物半导体薄膜及其生长方法 [P].

徐廷勋 .

中国专利 :CN1649090A ,2005-08-03

[7]

一种高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法 [P].

刘扬 ;

倪毅强 ;

周德秋 .

中国专利 :CN104600109A ,2015-05-06

[8]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[9]

氮化物半导体外延层的生长方法 [P].

尹义埈 ;

罗炫石 .

中国专利 :CN100447948C ,2006-08-16

[10]

氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 [P].

藤仓序章 ;

松田三智子 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103050597A ,2013-04-17

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