含Al氮化物半导体结构及器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022873594.0

申请日：

2020-12-02

公开(公告)号：

CN214043599U

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

郝茂盛袁根如马艳红张楠陈朋

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778 H01L310304 H01L3332

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

马艳红 ;

张楠 ;

陈朋 .

中国专利 :CN112490116A ,2021-03-12

[2]

氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 [P].

中畑成二 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN100468627C ,2007-03-14

[3]

氮化物半导体器件 [P].

尹皙胡 ;

朴基镐 ;

孙重坤 .

中国专利 :CN101740681B ,2010-06-16

[4]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[5]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101499618B ,2009-08-05

[7]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101499619B ,2009-08-05

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

高野隆好 ;

椿健治 ;

平山秀树 ;

藤川纱千惠 .

中国专利 :CN101981711B ,2011-02-23

[9]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

戴进吉 ;

宣融 .

中国专利 :CN106206891A ,2016-12-07

[10]

氮化物半导体结构 [P].

宣融 ;

胡智威 ;

詹益仁 .

中国专利 :CN105280770A ,2016-01-27

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