氮化物半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410552714.3

申请日：

2014-10-17

公开(公告)号：

CN105280770A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

宣融胡智威詹益仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区创新一路3号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	授权	授权
2016-10-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740243422 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2014105527143 登记生效日:20160923 变更事项:申请人变更前权利人:汉磊半导体晶圆股份有限公司变更后权利人:嘉晶电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹科学工业园区创新一路3号变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路10号
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647690295 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2014105527143 申请日:20141017
2016-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

戴进吉 ;

宣融 .

中国专利 :CN106206891A ,2016-12-07

[2]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

廖宸梓 ;

方彦翔 ;

宣融 .

中国专利 :CN103730553A ,2014-04-16

[3]

氮化物半导体结构 [P].

林昆泉 ;

刘进祥 ;

萧佑霖 .

中国专利 :CN107785237A ,2018-03-09

[4]

氮化物半导体结构 [P].

廖宸梓 ;

胡智威 ;

方彦翔 ;

宣融 .

中国专利 :CN103633213B ,2014-03-12

[5]

氮化物半导体结构物 [P].

梅田英和 ;

石田昌宏 ;

上田哲三 ;

上田大助 .

中国专利 :CN104704608A ,2015-06-10

[6]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

[7]

氮化物半导体外延结构 [P].

胡智威 ;

蔡清富 ;

蔡长祐 ;

陈威佑 .

中国专利 :CN114823853A ,2022-07-29

[8]

氮化物半导体外延结构 [P].

胡智威 ;

蔡清富 ;

蔡长祐 ;

陈威佑 .

中国专利 :CN114823853B ,2024-01-30

[9]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN103972339A ,2014-08-06

[10]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN107819059A ,2018-03-20

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