氮化物半导体外延结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210419930.5
申请日
2022-04-21
公开(公告)号
CN114823853B
公开(公告)日
2024-01-30
发明(设计)人
胡智威 蔡清富 蔡长祐 陈威佑
申请人
南京百识电子科技有限公司
申请人地址
211806 江苏省南京市浦口区大余所路5号11号楼
IPC主分类号
H01L29/06
IPC分类号
H01L29/15 H01L29/20 H01L29/201
代理机构
北京恒律知识产权代理有限公司 11416
代理人
王术娜
法律状态
授权
国省代码
江苏省 南京市
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共 50 条
[1]
氮化物半导体外延结构 [P]. 
胡智威 ;
蔡清富 ;
蔡长祐 ;
陈威佑 .
中国专利 :CN114823853A ,2022-07-29
[2]
氮化物半导体外延晶圆和氮化物半导体器件 [P]. 
坂口春典 ;
田中丈士 ;
成田好伸 ;
目黑健 .
中国专利 :CN104779280A ,2015-07-15
[3]
Ⅲ族氮化物半导体外延基板 [P]. 
天野浩 ;
坂东章 .
中国专利 :CN101778967A ,2010-07-14
[4]
氮化物半导体外延衬底及半导体器件 [P]. 
田中丈士 .
中国专利 :CN109103251A ,2018-12-28
[5]
氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件 [P]. 
杜尚儒 ;
杨亚谕 ;
刘家呈 ;
张宗正 .
中国专利 :CN113725296B ,2024-04-02
[6]
氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件 [P]. 
杜尚儒 ;
杨亚谕 ;
刘家呈 ;
张宗正 .
中国专利 :CN108461591A ,2018-08-28
[7]
氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件 [P]. 
杜尚儒 ;
杨亚谕 ;
刘家呈 ;
张宗正 .
中国专利 :CN113725296A ,2021-11-30
[8]
氮化物半导体外延片的制造方法及氮化物半导体外延片用复合基板 [P]. 
土屋庆太郎 ;
久保埜一平 ;
萩本和德 .
日本专利 :CN119998503A ,2025-05-13
[9]
Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底 [P]. 
桥本信 ;
田边达也 .
中国专利 :CN101842884A ,2010-09-22
[10]
氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 [P]. 
藤仓序章 ;
松田三智子 ;
今野泰一郎 .
中国专利 :CN103050597A ,2013-04-17