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氮化物半导体外延结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210419930.5
申请日
:
2022-04-21
公开(公告)号
:
CN114823853B
公开(公告)日
:
2024-01-30
发明(设计)人
:
胡智威
蔡清富
蔡长祐
陈威佑
申请人
:
南京百识电子科技有限公司
申请人地址
:
211806 江苏省南京市浦口区大余所路5号11号楼
IPC主分类号
:
H01L29/06
IPC分类号
:
H01L29/15
H01L29/20
H01L29/201
代理机构
:
北京恒律知识产权代理有限公司 11416
代理人
:
王术娜
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-30
授权
授权
共 50 条
[1]
氮化物半导体外延结构
[P].
胡智威
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0
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胡智威
;
蔡清富
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蔡清富
;
蔡长祐
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蔡长祐
;
陈威佑
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陈威佑
.
中国专利
:CN114823853A
,2022-07-29
[2]
氮化物半导体外延晶圆和氮化物半导体器件
[P].
坂口春典
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坂口春典
;
田中丈士
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田中丈士
;
成田好伸
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成田好伸
;
目黑健
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目黑健
.
中国专利
:CN104779280A
,2015-07-15
[3]
Ⅲ族氮化物半导体外延基板
[P].
天野浩
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天野浩
;
坂东章
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坂东章
.
中国专利
:CN101778967A
,2010-07-14
[4]
氮化物半导体外延衬底及半导体器件
[P].
田中丈士
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田中丈士
.
中国专利
:CN109103251A
,2018-12-28
[5]
氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件
[P].
杜尚儒
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机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
杜尚儒
;
杨亚谕
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机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
杨亚谕
;
刘家呈
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机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
刘家呈
;
张宗正
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机构:
晶元光电股份有限公司
晶元光电股份有限公司
张宗正
.
中国专利
:CN113725296B
,2024-04-02
[6]
氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件
[P].
杜尚儒
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杜尚儒
;
杨亚谕
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杨亚谕
;
刘家呈
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刘家呈
;
张宗正
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张宗正
.
中国专利
:CN108461591A
,2018-08-28
[7]
氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件
[P].
杜尚儒
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杜尚儒
;
杨亚谕
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杨亚谕
;
刘家呈
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刘家呈
;
张宗正
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张宗正
.
中国专利
:CN113725296A
,2021-11-30
[8]
氮化物半导体外延片的制造方法及氮化物半导体外延片用复合基板
[P].
土屋庆太郎
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
土屋庆太郎
;
久保埜一平
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
久保埜一平
;
萩本和德
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0
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机构:
信越半导体株式会社
信越半导体株式会社
萩本和德
.
日本专利
:CN119998503A
,2025-05-13
[9]
Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底
[P].
桥本信
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桥本信
;
田边达也
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田边达也
.
中国专利
:CN101842884A
,2010-09-22
[10]
氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件
[P].
藤仓序章
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藤仓序章
;
松田三智子
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松田三智子
;
今野泰一郎
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今野泰一郎
.
中国专利
:CN103050597A
,2013-04-17
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