Ⅲ族氮化物半导体外延基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880102702.3

申请日：

2008-08-06

公开(公告)号：

CN101778967A

公开(公告)日：

2010-07-14

发明(设计)人：

天野浩坂东章

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1634 H01L21205 H01L3300

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101535412944 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2008801027023 申请公布日:20100714
2010-07-14	公开	公开
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005739694 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2008801027023 申请日:20080806

共 50 条

[1]

第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体外延基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN102326228A ,2012-01-18

[2]

Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底 [P].

桥本信 ;

田边达也 .

中国专利 :CN101842884A ,2010-09-22

[3]

Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作Ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延片 [P].

盐见弘 ;

住吉和英 ;

斋藤雄 ;

木山诚 .

中国专利 :CN102187433A ,2011-09-14

[4]

Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片 [P].

三木久幸 ;

樱井哲朗 ;

奥山峰夫 .

中国专利 :CN100338733C ,2005-07-13

[5]

第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 [P].

岩田雅年 ;

大鹿嘉和 .

中国专利 :CN105493241B ,2016-04-13

[6]

Ⅲ族氮化物半导体基板 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN100456506C ,2007-05-16

[7]

氮化物半导体外延结构 [P].

胡智威 ;

蔡清富 ;

蔡长祐 ;

陈威佑 .

中国专利 :CN114823853A ,2022-07-29

[8]

氮化物半导体外延结构 [P].

胡智威 ;

蔡清富 ;

蔡长祐 ;

陈威佑 .

中国专利 :CN114823853B ,2024-01-30

[9]

ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN101853816A ,2010-10-06

[10]

氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 [P].

藤仓序章 ;

松田三智子 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103050597A ,2013-04-17

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