Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03805078.1

申请日：

2003-02-14

公开(公告)号：

CN100338733C

公开(公告)日：

2005-07-13

发明(设计)人：

三木久幸樱井哲朗奥山峰夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21205 C30B2938

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101522607790 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL038050781 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130123
2005-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-09-19	授权	授权
2005-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体外延基板 [P].

天野浩 ;

坂东章 .

中国专利 :CN101778967A ,2010-07-14

[2]

第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体外延基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN102326228A ,2012-01-18

[3]

Ⅲ族氮化物半导体晶体和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1957117A ,2007-05-02

[4]

Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作Ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延片 [P].

盐见弘 ;

住吉和英 ;

斋藤雄 ;

木山诚 .

中国专利 :CN102187433A ,2011-09-14

[5]

P型Ⅲ族氮化物半导体以及Ⅲ族氮化物半导体元件 [P].

木下亨 ;

柳裕之 ;

高田和哉 .

中国专利 :CN101636853A ,2010-01-27

[6]

Ⅲ族氮化物半导体及其制造方法 [P].

小早川真人 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100481330C ,2007-09-19

[7]

Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN1957447B ,2007-05-02

[8]

ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN101853816A ,2010-10-06

[9]

III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101882571A ,2010-11-10

[10]

ⅢA族氮化物半导体晶体的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN102127815A ,2011-07-20

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