氮化物半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310057224.1

申请日：

2013-02-22

公开(公告)号：

CN103633213B

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

廖宸梓胡智威方彦翔宣融

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

祁建国;梁挥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581318147 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2013100572241 申请日:20130222
2014-03-12	公开	公开
2016-09-14	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

廖宸梓 ;

方彦翔 ;

宣融 .

中国专利 :CN103730553A ,2014-04-16

[2]

氮化物半导体结构物 [P].

梅田英和 ;

石田昌宏 ;

上田哲三 ;

上田大助 .

中国专利 :CN104704608A ,2015-06-10

[3]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

戴进吉 ;

宣融 .

中国专利 :CN106206891A ,2016-12-07

[4]

氮化物半导体结构 [P].

宣融 ;

胡智威 ;

詹益仁 .

中国专利 :CN105280770A ,2016-01-27

[5]

氮化物半导体结构 [P].

林昆泉 ;

刘进祥 ;

萧佑霖 .

中国专利 :CN107785237A ,2018-03-09

[6]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

[7]

氮化物半导体元件 [P].

佐藤恒辅 ;

岩谷素显 ;

安江信次 ;

荻野雄矢 .

中国专利 :CN111668697A ,2020-09-15

[8]

氮化物半导体装置 [P].

阿久津稔 .

中国专利 :CN113745321A ,2021-12-03

[9]

氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法 [P].

神川刚 ;

太田征孝 .

中国专利 :CN101902014A ,2010-12-01

[10]

氮化物半导体 [P].

井上雄史 ;

小河淳 ;

伊藤伸之 ;

寺口信明 .

中国专利 :CN105637620A ,2016-06-01

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