氮化物半导体结构物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380047498.0

申请日：

2013-08-01

公开(公告)号：

CN104704608A

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

梅田英和石田昌宏上田哲三上田大助

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21338 H01L29778 H01L29812 H01L29861 H01L29868

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李逸雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	公开	公开
2017-03-22	授权	授权
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618398868 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013800474980 申请日:20130801

共 50 条

[1]

氮化物半导体结构 [P].

廖宸梓 ;

胡智威 ;

方彦翔 ;

宣融 .

中国专利 :CN103633213B ,2014-03-12

[2]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

廖宸梓 ;

方彦翔 ;

宣融 .

中国专利 :CN103730553A ,2014-04-16

[3]

氮化物半导体结构 [P].

胡智威 ;

戴进吉 ;

宣融 .

中国专利 :CN106206891A ,2016-12-07

[4]

氮化物半导体结构 [P].

宣融 ;

胡智威 ;

詹益仁 .

中国专利 :CN105280770A ,2016-01-27

[5]

氮化物半导体结构 [P].

林昆泉 ;

刘进祥 ;

萧佑霖 .

中国专利 :CN107785237A ,2018-03-09

[6]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

[7]

氮化物半导体装置 [P].

大岳浩隆 .

中国专利 :CN112018107A ,2020-12-01

[8]

氮化物半导体装置 [P].

大岳浩隆 .

日本专利 :CN112018107B ,2024-01-23

[9]

氮化物半导体装置 [P].

畑洋辅 .

中国专利 :CN115602701A ,2023-01-13

[10]

氮化物半导体 [P].

井上雄史 ;

小河淳 ;

伊藤伸之 ;

寺口信明 .

中国专利 :CN105637620A ,2016-06-01

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