氮化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910004817.5

申请日：

2009-01-19

公开(公告)号：

CN101740681B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

尹皙胡朴基镐孙重坤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

郭鸿禧;刘奕晴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005259616 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100048175 申请日:20090119
2012-05-30	授权	授权
2010-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101033985935 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100048175 变更事项:申请人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20100909
2012-12-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101489379413 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2009100048175 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20121123
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体器件 [P].

高桥宏和 ;

太田启之 ;

渡边温 .

中国专利 :CN1379483A ,2002-11-13

[2]

氮化物半导体器件 [P].

李奎翰 ;

金制远 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1845347A ,2006-10-11

[3]

氮化物半导体器件 [P].

森下敏 ;

民谷哲也 ;

仲山宽 .

中国专利 :CN105074888A ,2015-11-18

[4]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1312784C ,2004-12-15

[5]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1167137C ,2002-04-17

[6]

氮化物半导体器件 [P].

谷本佳美 ;

藤田耕一郎 ;

井上雄史 ;

木下多贺雄 .

中国专利 :CN107078064A ,2017-08-18

[7]

氮化物半导体器件 [P].

梁嘉进 ;

张海生 ;

单建安 .

中国专利 :CN120730769A ,2025-09-30

[8]

氮化物半导体器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 .

中国专利 :CN1156909A ,1997-08-13

[9]

氮化物半导体器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 .

中国专利 :CN1525612A ,2004-09-01

[10]

氮化物半导体器件 [P].

森下敏 ;

藤田耕一郎 .

中国专利 :CN104115262A ,2014-10-22

← 1 2 3 4 5 →