氮化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610002963.0

申请日：

2006-01-26

公开(公告)号：

CN1845347A

公开(公告)日：

2006-10-11

发明(设计)人：

李奎翰金制远金东俊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-11	公开	公开
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039192975 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006100029630 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20100926
2008-04-16	授权	授权
2016-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101651695744 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006100029630 申请日:20060126 授权公告日:20080416 终止日期:20150126
2013-01-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101493396090 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006100029630 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121211

共 50 条

[1]

氮化物半导体器件 [P].

高桥宏和 ;

太田启之 ;

渡边温 .

中国专利 :CN1379483A ,2002-11-13

[2]

氮化物半导体器件 [P].

尹皙胡 ;

朴基镐 ;

孙重坤 .

中国专利 :CN101740681B ,2010-06-16

[3]

氮化物半导体器件 [P].

森下敏 ;

民谷哲也 ;

仲山宽 .

中国专利 :CN105074888A ,2015-11-18

[4]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1312784C ,2004-12-15

[5]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1167137C ,2002-04-17

[6]

氮化物半导体器件 [P].

谷本佳美 ;

藤田耕一郎 ;

井上雄史 ;

木下多贺雄 .

中国专利 :CN107078064A ,2017-08-18

[7]

氮化物半导体器件 [P].

梁嘉进 ;

张海生 ;

单建安 .

中国专利 :CN120730769A ,2025-09-30

[8]

氮化物半导体器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 .

中国专利 :CN1156909A ,1997-08-13

[9]

氮化物半导体器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 .

中国专利 :CN1525612A ,2004-09-01

[10]

氮化物半导体器件 [P].

森下敏 ;

藤田耕一郎 .

中国专利 :CN104115262A ,2014-10-22

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