氮化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96120525.3

申请日：

1996-11-06

公开(公告)号：

CN1156909A

公开(公告)日：

1997-08-13

发明(设计)人：

中村修二长滨慎一岩佐成人

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L31042 H01S3025 H01S319

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-07-16	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-08-04	授权	授权
1997-08-13	公开	公开
2016-12-28	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101693577745 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL961205253 申请日:19961106 授权公告日:20040804 终止日期:无

共 50 条

[1]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1312784C ,2004-12-15

[2]

氮化物半导体器件 [P].

谷沢公二 .

中国专利 :CN1167137C ,2002-04-17

[3]

氮化物半导体器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 .

中国专利 :CN1525612A ,2004-09-01

[4]

氮化物半导体器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 .

中国专利 :CN1525578A ,2004-09-01

[5]

氮化物半导体器件 [P].

高桥宏和 ;

太田启之 ;

渡边温 .

中国专利 :CN1379483A ,2002-11-13

[6]

氮化物半导体器件 [P].

尹皙胡 ;

朴基镐 ;

孙重坤 .

中国专利 :CN101740681B ,2010-06-16

[7]

氮化物半导体器件 [P].

李奎翰 ;

金制远 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1845347A ,2006-10-11

[8]

氮化物半导体器件 [P].

森下敏 ;

民谷哲也 ;

仲山宽 .

中国专利 :CN105074888A ,2015-11-18

[9]

氮化物半导体器件 [P].

谷本佳美 ;

藤田耕一郎 ;

井上雄史 ;

木下多贺雄 .

中国专利 :CN107078064A ,2017-08-18

[10]

氮化物半导体器件 [P].

梁嘉进 ;

张海生 ;

单建安 .

中国专利 :CN120730769A ,2025-09-30

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