氮化物生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110650580.9

申请日：

2021-06-10

公开(公告)号：

CN113394076A

公开(公告)日：

2021-09-14

发明(设计)人：

刘志强冯涛梁萌伊晓燕王军喜李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C01B32194

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

孙蕾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210610
2021-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化物的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762061A ,2016-07-13

[2]

Ⅲ族氮化物单晶生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101351579B ,2009-01-21

[3]

Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 [P].

孙苋 ;

刘文宝 ;

朱建军 ;

江德生 ;

王辉 ;

张书明 ;

刘宗顺 ;

杨辉 .

中国专利 :CN101898751A ,2010-12-01

[4]

一种氮化物半导体材料的外延生长方法 [P].

陈一仁 ;

周星宇 ;

张志伟 ;

宋航 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN112820626A ,2021-05-18

[5]

氮化物单晶生长方法及应用 [P].

金敏浩 ;

小池正好 ;

咸宪柱 .

中国专利 :CN100352002C ,2005-11-02

[6]

氮化物半导体的生长方法 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1159750C ,1999-07-14

[7]

氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法 [P].

中原健 ;

田村谦太郎 .

中国专利 :CN101111945B ,2008-01-23

[8]

氮化物LED外延结构的生长方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102569567A ,2012-07-11

[9]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[10]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

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