Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910085917.5

申请日：

2009-05-27

公开(公告)号：

CN101898751A

公开(公告)日：

2010-12-01

发明(设计)人：

孙苋刘文宝朱建军江德生王辉张书明刘宗顺杨辉

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C01B2100

IPC分类号：

C01B2106 C01B21064 B82B300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-08	授权	授权
2014-07-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583881045 IPC(主分类):C01B 21/00 专利号:ZL2009100859175 申请日:20090527 授权公告日:20120808 终止日期:20130527
2011-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101030690757 IPC(主分类):C01B 21/00 专利申请号:2009100859175 申请日:20090527
2010-12-01	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物单晶生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101351579B ,2009-01-21

[2]

一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法 [P].

陈静 ;

王曦 ;

孙佳胤 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101428752A ,2009-05-13

[3]

氮化物生长方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113394076A ,2021-09-14

[4]

用于生长Ⅲ族氮化物材料的设备 [P].

李腾坤 ;

任国强 ;

徐科 .

中国专利 :CN218321736U ,2023-01-17

[5]

生长Ⅲ族氮化物晶体的方法 [P].

上松康二 ;

吉田浩章 ;

弘田龙 ;

藤原伸介 ;

田中晴子 .

中国专利 :CN101815816A ,2010-08-25

[6]

生长Ⅲ族氮化物晶体的方法 [P].

佐藤史隆 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101910477A ,2010-12-08

[7]

第III族氮化物单晶及其生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中畑成二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101466878A ,2009-06-24

[8]

一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法 [P].

刘南柳 ;

陈蛟 ;

李顺峰 ;

汪青 ;

罗睿宏 ;

张国义 .

中国专利 :CN104862781A ,2015-08-26

[9]

一种Ⅲ族氮化物半导体材料及其生长方法 [P].

高英 ;

张剑平 ;

周瓴 ;

武帅 .

中国专利 :CN100550302C ,2008-03-12

[10]

用于生长III族氮化物晶体的方法 [P].

广村友纪 ;

上松康二 ;

吉田浩章 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN102959141A ,2013-03-06

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