第III族氮化物单晶及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680055009.6

申请日：

2006-06-16

公开(公告)号：

CN101466878A

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

宫永伦正水原奈保藤原伸介中畑成二中幡英章

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈海涛;樊卫民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20060616 授权公告日:20120613 终止日期:20180616
2009-06-24	公开	公开
2009-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物单晶生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101351579B ,2009-01-21

[2]

III族氮化物外延结构及其生长方法 [P].

杜彦浩 ;

叶孟欣 ;

徐宸科 ;

赵志伟 ;

林文禹 ;

叶义信 ;

杨仁君 ;

刘建明 .

中国专利 :CN103388178A ,2013-11-13

[3]

第III族氮化物结构 [P].

佛德列克·卡尔颂 ;

许志伟 ;

安德司·伦德司库 .

中国专利 :CN104584241A ,2015-04-29

[4]

III族氮化物单晶基板 [P].

福田真行 ;

永岛徹 .

中国专利 :CN111164242B ,2020-05-15

[5]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[6]

制造第III族氮化物半导体的方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN104218131A ,2014-12-17

[7]

第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN103367113A ,2013-10-23

[8]

第III族氮化物涂层及方法 [P].

吴华强 ;

M·G·斯潘塞 ;

E·贾内利斯 ;

A·布里诺斯 .

中国专利 :CN101068890B ,2007-11-07

[9]

绝缘体上硅上的第III族氮化物半导体结构及其生长方法 [P].

C·韦蒂祖 ;

I·拉杜 ;

J·德鲁茵 ;

S·德格鲁特 .

法国专利 :CN118679556A ,2024-09-20

[10]

用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法 [P].

守山实希 .

中国专利 :CN106480492B ,2017-03-08

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