学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

III族氮化物单晶基板

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880061317.2
申请日：
2018-09-21
公开(公告)号：
CN111164242B
公开(公告)日：
2020-05-15
发明(设计)人：
福田真行 永岛徹
申请人：
申请人地址：
日本山口县
IPC主分类号：
C30B2938
IPC分类号：
C23C1634 C30B2520 C23C1602 H01L21203 H01L21205
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇;李茂家
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-15 公开 公开
2020-06-09 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20180921
2022-06-24 授权 授权
共 50 条
[1]
III族氮化物单晶基板的制造方法、氮化铝单晶基板 [P]. 
福田真行 ;
人见达矢 ;
山本玲绪 .
日本专利 :CN118159695A ,2024-06-07
[2]
III族氮化物单晶基板的制造方法 [P]. 
久保田芳宏 .
日本专利 :CN119301315A ,2025-01-10
[3]
III族氮化物基板 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
泷野淳一 ;
隅智亮 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN112635543A ,2021-04-09
[4]
III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P]. 
久保田芳宏 ;
永田和寿 .
中国专利 :CN114901876A ,2022-08-12
[5]
III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P]. 
久保田芳宏 ;
永田和寿 .
日本专利 :CN114901876B ,2024-08-27
[6]
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
隅智亮 ;
泷野淳一 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17
[7]
III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
隅智亮 ;
泷野淳一 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17
[8]
III族氮化物半导体基板 [P]. 
后藤裕辉 ;
石原裕次郎 .
中国专利 :CN110431258A ,2019-11-08
[9]
III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法 [P]. 
冈山芳央 .
中国专利 :CN107230737B ,2019-03-08
[10]
III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今西正幸 ;
北本启 ;
泷野淳一 ;
隅智亮 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21
12345